一、概述
日本巖崎BH分析儀，軟磁材料測(cè)試儀SY-8219/SY-8218 磁特性的磁通密度B（以T為單位），磁場(chǎng)強(qiáng)度H（為A/m為單位）采用普遍的X-Y軸，這里被描述的曲線稱(chēng)為B-H曲線。作為測(cè)量B-H曲線的方法，有直流的評(píng)估方法和交流的評(píng)估方法。
二、測(cè)試方法
Iwatsu的BH分析儀采用CROSS-POWER方法（IEC62044-3），可實(shí)現(xiàn)精確，高精度的測(cè)量，在頻譜上嵌入min小化的相位誤差積分，電流檢測(cè)電阻和檢測(cè)電路補(bǔ)償，幅度和相位補(bǔ)償。
半導(dǎo)體曲線圖示儀 CS3100/3200/3300（峰值電壓3000V，峰值電流1000A）, CS5000系列（峰值電壓5000V，峰值電流1000A），CS10000系列（峰值電壓10KV，峰值電流8000A），適用于IGBT、MOSFET、三極管、二極管等各種半導(dǎo)體特性測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)，采用電路圖模式顯示內(nèi)部的配線狀態(tài)，可通過(guò)確認(rèn)實(shí)際波形，適時(shí)調(diào)整脈寬和測(cè)試點(diǎn)。具有能確認(rèn)實(shí)際印加電流/電壓波形的Wave模式，可以像示波器一樣通過(guò)觀測(cè)模塊上實(shí)際印加的波形 （電流、電壓）來(lái)確定脈寬和實(shí)際測(cè)試點(diǎn) （MEASUREMENT POINT），可通過(guò)確認(rèn)實(shí)際波形，適時(shí)調(diào)整脈寬和測(cè)試點(diǎn)，避免了示波器的探棒影響，可確認(rèn)到實(shí)時(shí)的異常信號(hào)，可非常容易地確認(rèn)到模塊發(fā)熱等引起的振蕩等熱異常情況。
隔離探針在通過(guò)光學(xué)隔離隔離輸入/輸出端子的系統(tǒng)中，在高電壓環(huán)境下以高分辨率和安全方式執(zhí)行波形測(cè)量有助于高壓環(huán)境測(cè)試的安全性使用差分探頭提高測(cè)量質(zhì)量，非常有效地測(cè)量抗噪性，支持各種物體，如雷擊浪涌和充電測(cè)試等，測(cè)量遠(yuǎn)點(diǎn)（開(kāi)關(guān)，運(yùn)輸設(shè)備等），分析在遠(yuǎn)處發(fā)生多次異常操作時(shí)的故障因素，（隔離單元可以設(shè)置在每個(gè)地方，總共多達(dá)4套）
三、特點(diǎn)
1、實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高精度測(cè)量采用標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)電阻，壓粉鐵芯等的鐵損極為小的材料也有可能穩(wěn)定并高精度測(cè)量。
2、采集的波形資料，本產(chǎn)品以8192點(diǎn)周速率采集的波形數(shù)據(jù)，是本公司比之過(guò)去的16倍，能夠高精度地測(cè)量矯頑磁力和剩余磁通密度等。
3、標(biāo)準(zhǔn)配置作業(yè)靠近脈沖勵(lì)磁可選擇性地在正弦波勵(lì)磁加上標(biāo)準(zhǔn)裝備脈沖勵(lì)磁（可達(dá)1MHz、50%占空比）。
4、配置可比較參數(shù)的設(shè)置能夠比較不同測(cè)量條件下同一產(chǎn)品的的B-H曲線。
5、裝載兩種類(lèi)型的游標(biāo)顯示任意點(diǎn)的測(cè)量值、導(dǎo)磁率用可能十字和傾斜的兩種光標(biāo)。一般的十字外加“傾斜游標(biāo)"是只合起B(yǎng)，B-H曲線的任意點(diǎn)的導(dǎo)磁率測(cè)量就是接受客戶(hù)建議進(jìn)行功能優(yōu)化的，為測(cè)試提供方便。
四、鐵損是磁性材料本身丟失的電能，大致分為下面3類(lèi)
1、磁滯損耗
2、渦流損耗
3、剩余損耗
磁滯損耗是指鐵磁材料作為磁介質(zhì)，在一定勵(lì)磁磁場(chǎng)下產(chǎn)生的固有損耗；（在電能轉(zhuǎn)換磁能過(guò)程中所產(chǎn)生的損耗）；渦流損耗是指磁通發(fā)生交變時(shí)，鐵芯產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)進(jìn)而產(chǎn)生感應(yīng)電流，感應(yīng)電流呈旋渦狀，稱(chēng)之為渦流；感應(yīng)電流在鐵芯電阻上產(chǎn)生的損耗就是渦流損耗；剩余損耗是指除磁滯損耗和渦流損耗以外的損耗，由于所占比重較小，也可忽略不計(jì)。
